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BSS308PE H6327 /MOSFET P-Ch -30V -2A SOT-23-3
BSS308PE H6327的规格信息
BSS308PE H6327的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:2 A

Rds On-漏源导通电阻:62 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

Qg-栅极电荷:- 5 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W)

配置:Single

通道模式:Enhancement

资格:AEC-Q101

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.1 mm

长度:2.9 mm

系列:BSS308

晶体管类型:1 P-Channel

宽度:1.3 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:4.6 S

下降时间:2.8 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:7.7 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:15.3 ns

典型接通延迟时间:5.6 ns

零件号别名:BSS308PEH6327XTSA1 BSS38PEH6327XT SP000928942

单位重量:8 mg

供应商BSS308PE H6327
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深圳市威雅利发展有限公司BSS308PE H6327华强北路1019号华强广场A16楼18124047120
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BSS308PE H6327连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2V @ 11uA 漏源导通电阻:80mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:P沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO240.50 Kbytes共9页BSS308PE H6327的PDF下载地址
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BSS308PE H6327InfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品1+:¥0.91
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BSS308PE H6327Infineon TechnologiesMOSFET P-Ch -30V -2A SOT-23-31:¥2.9154
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BSS308PE H6327Infineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):2A 漏源电压(Vdss):-30V 栅源极阈值电压:2V @ 11uA 漏源导通电阻:80mΩ @ 2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):500mW 类型:P沟道1+:¥1.4514
200+:¥0.5617
500+:¥0.542
1000+:¥0.5322